page_banner

produkter

GE DS200IIBDG1AGA Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) kort

kort beskrivning:

Art.nr: DS200IIBDG1AGA

märke: GE

pris: $1500

Leveranstid: I lager

Betalning: T/T

sjöfartshamn: Xiamen


Produktdetaljer

Produkttaggar

Beskrivning

Tillverkning GE
Modell DS200IIBDG1AGA
Beställningsinformation DS200IIBDG1AGA
Katalog Speedtronic Mark V
Beskrivning GE DS200IIBDG1AGA Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) kort
Ursprung USA (USA)
HS-kod 85389091
Dimensionera 16cm*16cm*12cm
Vikt 0,8 kg

Detaljer

GE Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Board DS200IIBDG1AGA innehåller nio indikatorlampor som ger en status för behandlingen. Lysdioderna är synliga från insidan av kretskortskåpet och är röda när de tänds.

Lysdioderna är placerade på kortet i tre grupper och varje grupp innehåller tre lysdioder. Varje grupp av lysdioder är associerad med en 8-stiftskontakt som är placerad intill lysdioderna. Lysdioderna indikerar status för signalen som tas emot eller sänds från den 8-poliga kontakten.

De tre 8-stiftskontakterna identifieras som APL, BPL och CPL på GE Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Board DS200IIBDG1AGA. Kortet är också fyllt med en 34-stiftskontakt som består av två rader med 17 stift. En bandkabel kan anslutas till 34-stiftskontakten. Bandkabeln är också ansluten till ett kort i skåpet och måste dras ordentligt för att undvika att vidröra andra komponenter. Kablaget är endast begränsat till frekvensomriktarens inre.

För att ta bort den defekta skivan måste du ta bort sex skruvar som håller fast skivan i strukturen inuti skåpet. När du använder en skruvmejsel för att ta bort skruvarna, se till att du inte borstar mot andra komponenter i skåpet eller lödpunkterna på skivorna. Det är viktigt att ha fri sikt över komponenterna så att du kan undvika skador. Ta bort eventuella skruvar som faller in i enheten.


  • Tidigare:
  • Nästa:

  • Skicka ditt meddelande till oss: